9月20日に「窒化物半導体マルチビジネス創生センター」の開所記念式典を開催しました

カテゴリ：イベント｜2013年10月04日掲載

このセンターは、名古屋工業大学と民間企業等が共同で研究開発を行い、世界に先駆けて次世代パワーデバイスである、GaNパワーデバイスを実用化するものです。
幅広い産業分野・市場に導入することで、省エネ・CO2削減を実現、日本の半導体産業の国際競争力強化に貢献します。
記念式典では、髙橋実学長が「本センターは、「産学連携」というよりも産学ともに同じ目標に向かって研究開発を推進する「産学一体」という表現がふさわしい施設です。次世代パワーデバイス開発のためのパイロットプラントが始動しました。」と挨拶しました。
また、経済産業局長山本雅史氏、文部科学省科学技術・学術政策局産業連携・地域支援課地域支援企画官髙谷浩樹氏、各企業からの来賓の祝辞があり、江川孝志センター長からセンターの概要が説明されました。

センターの開所を記念し、トヨタ自動車株式会社取締役専務役員嵯峨宏英氏をお招きした講演会には200名以上の参加者が集まりました。