名古屋工業大学では、このたび、大学が有する「Ｓｉの基板上にＧａＮ結晶を成長する技術」を核に、窒化物半導体パワーデバイスの実用化・事業化に向けた研究開発推進拠点「窒化物半導体マルチビジネス創生センター」（仮称）を整備することになりました。

この拠点における研究が進めば、これまでの半導体のより省エネ化や小型化が可能となり、家電や次世代自動車等への幅広い展開が期待されます。

このことについて、7月27日に経済産業省中部経済産業局と合同で記者発表を行いました。

詳細は以下の資料をご覧ください。
名古屋工業大学に「窒化物半導体マルチビジネス創生センター」（仮称）を整備（ＰＤＦ）

会見場の様子

センターの概要を説明する木下理事

研究内容を説明する江川教授