久保　俊晴

GaNやグラフェンといった次世代電子材料を用いたデバイスの開発に取り組んでいます。特に、シリコン基板上に形成するGaNパワーデバイスの研究では、高耐圧・高効率動作を実現するために、絶縁膜とGaN界面に存在する電子準位の解析を進めています。界面の状態はデバイス特性を大きく左右するため、その振る舞いを精密に理解することで性能向上の新しい手がかりを得られます。また、単原子層の炭素シートであるグラフェンを利用したデバイスにも注目し、高いキャリア移動度を生かした新しい応用可能性を探っています。これらの電子材料の特徴を引き出し、次世代の高性能・低消費電力デバイスの実現につながる基盤技術を構築することを目指しています。