三好 実人
MIYOSHI Makoto
窒化物半導体の高品位エピタキシャル成長で挑む未来技術
GaN、AlN、InNなどの窒化物材料は、直接遷移型の広いバンドギャップエネルギー、高電子移動度、高い絶縁破壊電界などの半導体としての優れた物性だけでなく、結晶学的な特徴として非常に大きな分極を備えており、幅広い組成範囲の混晶系を組み合わせる事によって、多彩で高機能なヘテロ構造・量子構造を高い自由度をもって設計できるといった利点を有しています。当研究室では、「次世代半導体エレクトロニクス共創研究センター」を活動拠点としながら、GaN、AlN、InNをはじめとする多元・多層窒化物結晶の高品位エピタキシャル成長から、その応用としての光・電子デバイスの設計・試作まで一貫した研究開発の取り組みを行っています。
担当分野・プログラム
研究区分
電気電子工学
応用物理工学
研究テーマ
- 窒化物半導体を用いた光・電子デバイスに関する研究
- 窒化物半導体のエピタキシャル成長に関する研究
メッセージ
持続可能な社会基盤の構築に向けて、次世代型の高機能半導体デバイスの創出に取り組んでいます。具体的には、ワイドギャップ化合物半導体である窒化物系材料 ～ GaN、AlN、InNとその混晶系AlGaN, GaInN, AlInN, AlGaInN ～ の高品質エピタキシャル成長をコアテクノロジーとして、今までにない光・電子デバイスについて、社会実装までを見据えた研究開発を推進しています。また、活動拠点である「次世代半導体エレクトロニクス共創研究センター」では、研究開発だけでなく、将来の半導体エレクトロニクス分野を担うリサーチャー／エンジニアの人材育成・輩出にも力を入れています。