島添 和樹
SHIMAZOE Kazuki
ミストCVDで切り拓く、省・創エネルギー半導体
ミストCVD（化学気相成長）を用いた酸化物材料の薄膜成長を中心に、デバイス作製まで一貫して取り組んでいます。これまでにGeO2やGa2O3をはじめ、Fe2O3、In2O3、SnO2、NiOなど多様な酸化物半導体材料の成長を行ってきました。これらの材料は現在用いられている半導体材料よりもエネルギー損失の少ないデバイスを作製できる可能性を秘めています。私たちの研究室ではこれらの材料を実際に自分たちで成長し、評価、またデバイスを作って実際にエネルギー損失を少なくすことができるかどうかを確かめるなど、半導体に関わる工程の上流から下流まで、幅広い領域を対象にした研究を行っています。また新規材料の開拓にも注力しており、まだ世界の誰も作ったことのない材料の成長を目指して研究を行っています。
メッセージ
私たちの生活を豊かにする科学技術の発展は、新しい材料の発見や改良とともに進んできました。スマートフォンやPCといった身近な家電製品や自動車など、私たちの身の回りにあるあらゆる製品は半導体材料によって支えられています。私は半導体材料の研究を通じて、より持続可能な社会の実現を目指しています。半導体材料の研究は一見地味ですが、将来の革新的な技術につながる重要な一歩です。社会を根底から支える材料の可能性を広げ、次世代へとつなげていきたいと考えています。