山口　慶太郎

私たちの身の回りでは、スマートフォンや通信機器、自動車、データセンターなど、さまざまな場面で半導体が利用されています。近年は、より高速な通信や省エネルギー化が求められており、従来のシリコンに代わる次世代半導体材料の開発が重要となっています。当研究室では、窒化ガリウム（GaN）をはじめとする窒化物半導体の結晶成長に取り組んでいます。半導体デバイスの性能は結晶品質に大きく左右されるため、成長条件を最適化し、結晶中の欠陥や組成を精密に制御することで、高品質な半導体材料の創製を目指しています。窒化物半導体は、青色LEDやレーザなどの光デバイスに加え、高効率な電力変換を実現するパワーデバイスや、高速通信を支える高周波デバイスへの活用が進んでいます。当研究室では、結晶成長と材料設計を通じて材料特性を最大限に引き出し、次世代の情報通信・エネルギー社会を支える窒化物半導体技術の実現を目指しています。