「省エネ用シリコン基板上窒化ガリウム系パワー半導体」開発・事業化に成功し、科学技術政策担当大臣賞を受賞

　名古屋工業大学機能工学専攻 教授 江川孝志は、世界に先駆けて、大口径シリコン(Si)基板上に窒化ガリウム(GaN)層を結晶成長させる技術を開発し、その後、ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社（代表取締役社長 大塚晃）を始めとする複数企業等との「コンカレントマネジメントによる研究開発を推進することで、産学官が連携し効率的かつ迅速に、GaN系パワー半導体の事業化に成功し、この度、科学技術政策担当大臣賞を受賞することとなりました。
　ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社は江川教授が開発したGaN/Si結晶成長技術を元に、省エネ用パワー半導体のSi上GaNエピ基板の事業化に成功しました。本技術を用いたデバイスは、従来のSiを用いたパワー半導体に比べて電力変換効率が大幅に向上し、70～90%の省エネルギー化、国内CO2排出量4%削減が可能となります。さらに、名古屋工業大学は2013年8月、「窒化物半導体マルチビジネス創生センター」を発足させ、民間企業、公的機関と共に、GaN/Siパワーデバイスの開発・実用化に取り組んできました。
なお、授賞式は8月28日（金）13:30より、東京ビッグサイト（イノベーション・ジャパン2015の会場）にて行われる予定です。