電気・機械工学専攻　電気電子分野　加藤正史准教授の研究成果に関するリリースが、米国研究紹介ウェブサイト"EurekAlert!"^※に掲載されました。加藤正史准教授は、半導体の材料の一つであるシリコンカーバイド（SiC）がどのように劣化するのか、そのメカニズムを解明しました。このことにより、将来的には、SiCを基盤とする機器の耐久性向上が期待されます。

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市村・加藤研究室

＜掲載記事＞　EurekAlert!