加藤正史教授、三井俊樹氏（本学卒業生）が第46回（2024年度）応用物理学会論文賞を受賞しました
Research
研究・産学官連携
2025年3月28日掲載
第46回（2024年度）応用物理学会論文賞
- 受賞者
- 加藤正史教授、三井 俊樹氏（本学卒業生）
- 受賞の対象
- Suppression of partial dislocation glide motion during contraction of stacking faults in SiC epitaxial layers by hydrogen ion implantation
- 受賞者の関連サイト
- 市村・加藤研究室
- 関連するウェブサイト
- 第46回（2024年度）応用物理学会論文賞 受賞者 - 応用物理学会
応用物理学会論文賞は、応用物理学の研究において優れた業績をあげた者に対して贈られるものです。
本学の加藤正史教授と三井俊樹氏（本学卒業生）は、名古屋大学原田俊太准教授および住重アテックス（株）坂根仁氏とともにSiCデバイスの長期的な動作信頼性の確保に寄与する手法に注目し、イオン注入によりSiC結晶中の欠陥拡張抑制をする先駆的な研究を行っています。
この度の論文では、欠陥縮小現象がイオン注入により抑制されることを実験的に証明し、その結果、欠陥拡張抑制技術の確立に向けた重要な一歩となった点を評価され、受賞にいたりました。
なお、応用物理学会論文賞を名古屋工業大学の構成員が受賞するのは、今回が初めてとなります。
関連リンク
〈発表論文〉Suppression of partial dislocation glide motion during contraction of stacking faults in SiC epitaxial layers by hydrogen ion implantation
〈発表雑誌〉Appl. Phys. Express 16 (2023) 021001
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この情報は研究支援課が提供しています。