島添和樹助教が日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会研究奨励賞を受賞しました
Research
研究・産学官連携
2026年6月 4日掲載
日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 研究奨励賞
- 受賞者
- 電気・機械工学類 島添和樹
- 受賞の対象
- ミストCVDによるルチル構造二酸化ゲルマニウム薄膜の単相成長とその評価
- 受賞者の関連サイト
- 研究室ウェブサイト
教員ウェブサイト
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- 関連するウェブサイト
- 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会
日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 研究奨励賞は、結晶成長及び関連の研究の発展に貢献する優秀な論文を発表した若手研究者に対して授与されるものです。
本研究では次々世代半導体材料であるルチル構造二酸化ゲルマニウムの課題であった単相成長と高速成長を同時に達成する技術を開発しました。本成果によってルチル構造二酸化ゲルマニウムの様々な応用に向けた基礎を築いたといえます。
関健太准教授、岩崎誠教授らの研究グループが第82回電気学術振興賞論文賞を受賞しました
この情報は研究支援課が提供しています。