平成28年4月11日（月）名古屋工業大学　窒化物半導体マルチビジネス創生センターにて窒化物半導体に関する国際ワークショップ「The 7th International Joint Workshop on Nitride Semiconductors and Devices」を開催しました。

本学や三重大等の国内の大学を始め、シンガポールや中国の大学から、GaN系窒化物半導体のHEMT応用に向けた研究や紫外受発光デバイスへの応用等に関する研究の成果について発表が行われました。国内、海外から合計３２名の方々に参加していただき、窒化物半導体の最新技術について活発な議論が行われました。


発表の様子


Workshop終了後の集合写真